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厂家型号	PBSS301ND
文件大小	119.86Kbytes
页面数量	16页
功能描述	20 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 两极晶体管 - BJT NPN 20V 4A LOW SAT
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二
生产厂商	PHI

General description

NPN low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) SMD plastic package.

PNP complement: PBSS301PD.

Features

■ Very low collector-emitter saturation resistance

■ Ultra low collector-emitter saturation voltage

■ 4 A continuous collector current

■ Up to 15 A peak current

■ High efficiency due to less heat generation

Applications

■ Power management functions

■ Charging circuits

■ DC-to-DC conversion

■ MOSFET gate driving

■ Power switches (e.g. motors, fans)

■ Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter

PBSS301ND供应商...

更新时间：2026-2-3 14:59:00

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参考价格：￥1.0157

型号：PBSS301ND,115 品牌：NXP 备注：这里有PBSS301ND多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，PBSS301ND批发/采购报价，PBSS301ND行情走势销售排排榜，PBSS301ND报价。