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LCE2009S中文资料

厂家型号

LCE2009S

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126.01Kbytes

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16

功能描述

NPN microwave power transistors

数据手册

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生产厂商

PHI

LCE2009S数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The LBE2003S and LBE2009S are NPN silicon planar epitaxial microwave power transistors in a SOT441A metal ceramic studless package.The LCE2009S is a maintenance type in a SOT442A metal ceramic capstan package.

FEATURES

• Diffused emitter ballasting resistors

• Self-aligned process entirely ion implanted and gold metallization

• Optimum temperature profile

• Excellent performance and reliability.

APPLICATIONS

• Common emitter class-A linear power amplifiers up to 4 GHz.

更新时间:2026-3-9 9:54:00
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