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BUK9212-55B中文资料

厂家型号

BUK9212-55B

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12

功能描述

TrenchMOS logic level FET

MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

数据手册

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生产厂商

PHI

BUK9212-55B数据手册规格书PDF详情

Description

N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using Philips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS™ technology.

Features

■ Very low on-state resistance

■ Q101 compliant

■ 185 °C rated

■ Logic level compatible.

Applications

■ Automotive systems

■ 12 V and 24 V loads

■ Motors, lamps and solenoids

■ General purpose power switching.

BUK9212-55B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUK9212-55B

  • 功能描述

    MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-30 17:32:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
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BUK9212-55B,118 价格

参考价格:¥3.4879

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