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DESCRIPTION
NPN silicon planar epitaxial transistor primarily intended for class-A, B or C operation. The transistor is encapsulated in a 4-lead SOT122A stud envelope with a ceramic cap.
FEATURES
• Withstands full load mismatch
• Emitter ballasting resistors for an optimum temperature profile
• Gold metallization ensures excellent reliability.
APPLICATIONS
• Transmitting applications in the UHF range with a nominal supply voltage up to 28 V.
BLF175产品属性
- 类型
描述
- 型号
BLF175
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 RF DMOS 30W HF-VHF
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
更新时间：2026-8-2 9:38:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
25+ |
TO-59 |
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十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
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PHI |
23+ |
TO-59 |
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PHI |
23+ |
125 |
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PHI |
25+ |
SMD |
3200 |
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PHI |
23+ |
TO-59 |
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PHI |
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PHI |
25+ |
TO-59 |
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|||
PHI |
25+ |
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|||
恩XP |
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标准封装 |
55936 |
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|||
恩XP |
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