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精确

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DESCRIPTION

NPN silicon wideband transistor in a four-lead dual emitter SOT143B plastic package (cross emitter).

FEATURES

• Low current consumption (100 µA to 1 mA)

• Low noise figure

• Gold metallization ensures excellent reliability.

APPLICATIONS

• RF low power amplifiers, such as pocket telephones, paging systems, with signal frequencies up to 2 GHz.

BFG25X供应商...

更新时间：2025-12-3 15:12:00

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