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BFG10/X中文资料

厂家型号

BFG10/X

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10

功能描述

NPN 2 GHz RF power transistor

数据手册

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生产厂商

PHI

BFG10/X数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in plastic, 4-pin dual-emitter SOT143 package.

FEATURES

• High power gain

• High efficiency

• Small size discrete power amplifier

• 1.9 GHz operating area

• Gold metallization ensures excellent reliability.

APPLICATIONS

• Common emitter class-AB operation in hand-held radio equipment at 1.9 GHz.

更新时间:2025-10-31 16:42:00
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