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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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PXAE213708NB-V1-R2 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 400 W, 48 V, 2110 – 2200 MHz Description The PXAE213708NB is a 400-watt (P3dB) LDMOS Doherty transistor intended for use in multi-standard cellular power amplifier applications in the 2110 to 2200 MHz frequency band. Features include input and output matching, high gain and thermallyenhanced package with earless flange. M | WOLFSPEED |   | |
PXAE213708NB-V1-R2 | 封装/外壳：PG-HB2SOF-8-1 包装：带 描述：SI LDMOS AMP 370W 2110-2170MHZ 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | WOLFSPEED | | |
PXAE213708NB-V1-R2 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 400 W, 29 V, 2110 ??2180 MHz 文件：529.64 Kbytes Page：5 Pages | Cree 科锐 | |
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