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PXAD214218FV-V1-R2

Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFET430W,28V,2110–2170MHz

Description ThePXAD214218FVisa430-watt(P3dB)LDMOSFETwithanasymmetrical designintendedforuseinmulti-standardcellularpoweramplifier applicationsinthe2110to2170MHzfrequencyband.Features includedual-pathdesign,inputandoutputmatching,highgainand thermally-enhanc

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PXAD214218FV-V1-R2

封装/外壳:H-37275G-6/2 包装:卷带(TR) 描述:IC AMP RF LDMOS H-37275G-6 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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更新时间:2025-8-4 8:31:00
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