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PXAD214218FV-V1-R0

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 430 W, 28 V, 2110 – 2170 MHz

Description The PXAD214218FV is a 430-watt (P3dB) LDMOS FET with an asymmetrical design intended for use in multi-standard cellular power amplifier applications in the 2110 to 2170 MHz frequency band. Features include dual-path design, input and output matching, high gain and thermally-enhanc

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PXAD214218FV-V1-R0

封装/外壳:H-37275G-6/2 包装:卷带(TR) 描述:IC AMP RF LDMOS H-37275G-6 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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更新时间:2025-10-17 17:35:00
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