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PXAD184218FV-V1-R2

Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFET420W,28V,1805–1880MHz

Description ThePXAD184218FVisa420-watt(P3dB)LDMOSFETwithanasymmetrical designintendedforuseinmulti-standardcellularpoweramplifierapplicationsinthe1805to1880MHzfrequencyband.Featuresincludedual-path design,inputandoutputmatching,highgainandthermally-enhanced

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PXAD184218FV-V1-R2

封装/外壳:H-37275G-6/2 包装:卷带(TR) 描述:IC AMP RF LDMOS H-37275G-6 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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更新时间:2025-6-8 10:19:00
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