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PXAC200902FC

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 90 W, 28 V, 1805 ??2170 MHz

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Infineon

英飞凌

PXAC200902FC

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 90 W, 28 V, 1805 - 2170 MHz

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Cree

科锐

PXAC200902FC

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 90 W, 28 V, 1805 – 2170 MHz

Infineon

英飞凌

Cellular (2000 MHz to 2200 MHz)

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-10-15 16:11:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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只做原装现货

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