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PTVA093002TCV1R250

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 300 W, 50 V, 703 ??960 MHz

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 300 W, 50 V, 703 ??960 MHz

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英飞凌

封装/外壳:H-37248G-4/2 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC RF FET LDMOS H-49248H-4 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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英飞凌

封装/外壳:H-37248G-4/2 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC AMP RF LDMOS 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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更新时间:2025-8-8 14:16:00
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INFINEON/英飞凌
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
INFINEON/英飞凌
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H-49248H-4
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原装现货,实单支持

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