型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
PTFB212503FL

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 240 W, 2110 ??2170 MHz

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Cree

科锐

PTFB212503FL

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 2110 ??2170 MHz

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Infineon

英飞凌

PTFB212503FL

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 2110-2170 MHz

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Infineon

英飞凌

Cellular (2000 MHz to 2200 MHz)

Infineon

英飞凌

High Power RF LDMOS FET240 W, 2110 – 2170 MHz

MACOM

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 2110 ??2170 MHz

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Infineon

英飞凌

封装/外壳:2-扁平封装,叶片引线,带法兰 包装:卷带(TR) 描述:IC AMP RF LDMOS H-34288-4 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

WOLFSPEED

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 2110 ??2170 MHz

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 2110 ??2170 MHz

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Infineon

英飞凌

封装/外壳:2-扁平封装,叶片引线,带法兰 包装:卷带(TR) 描述:IC AMP RF LDMOS 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

WOLFSPEED

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 2110 ??2170 MHz

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 2110 ??2170 MHz

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英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 2110 ??2170 MHz

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Infineon

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PTFB212503FL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PTFB212503FL

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 2110-2170 MHz

更新时间:2025-12-24 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
266
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
INFINEON/英飞凌
2450+
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
INFINEON/英飞凌
25+
H-34288-42
1200
全新原装现货,价格优势
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
INFINEON
24+
N/A
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
INFINEO
18+
SMD
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
INFINEON/英飞凌
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
Infineon Technologies
22+
H342884/2
9000
原厂渠道,现货配单
INFINEON
23+
8000
只做原装现货

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