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PTFB211803FLV2R0

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

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Infineon

英飞凌

封装/外壳:2-扁平封装,叶片引线,带法兰 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC AMP RF LDMOS H-34288-4 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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IC AMP RF LDMOS H-34288-4

Infineon

英飞凌

更新时间:2026-1-5 22:33:00
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