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PTFA091503ELV4R0

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 920 ??960 MHz

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 920 ??960 MHz

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Infineon

英飞凌

封装/外壳:2-扁平封装,叶片引线,带法兰 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:RF MOSFET LDMOS 30V H-33288-6 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-10-16 17:59:00
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