位置:首页 > IC中文资料 > PTFA041501E

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
PTFA041501E

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150 W, 420 ??500 MHz

文件:437.04 Kbytes Page:11 Pages

INFINEON

英飞凌

PTFA041501E

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150 W, 420 – 500 MHz

INFINEON

英飞凌

封装/外壳:2-扁平封装,叶片引线 包装:带 描述:RF MOSFET LDMOS 28V H-36248-2 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

WOLFSPEED

FET RF LDMOS 150W H36248-2

WOLFSPEED

封装/外壳:2-扁平封装,叶片引线 包装:带 描述:FET RF LDMOS 150W H36248-2 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

WOLFSPEED

RF MOSFET LDMOS 28V H-37248-2

WOLFSPEED

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150 W, 420 ??500 MHz

文件:437.04 Kbytes Page:11 Pages

INFINEON

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150 W, 420 ??500 MHz

文件:424.33 Kbytes Page:11 Pages

INFINEON

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150 W, 420-500 MHz

文件:502.61 Kbytes Page:11 Pages

INFINEON

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150 W, 420 ??500 MHz

文件:424.33 Kbytes Page:11 Pages

INFINEON

英飞凌

PTFA041501E产品属性

  • 类型

    描述

  • 频率:

    420MHz ~ 500MHz

  • 增益:

    21dB

  • 电压 - 测试:

    28V

  • 额定电流:

    1µA

  • 电流 - 测试:

    900mA

  • 功率 - 输出:

    150W

  • 电压 - 额定:

    65V

  • 封装/外壳:

    2-扁平封装,叶片引线

  • 供应商器件封装:

    H-36248-2

更新时间:2026-7-31 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Bourns Inc.
25+
N/A
21000
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
STELVIOKONTEK
23+
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
25+
SOT6
3629
原装优势!房间现货!欢迎来电!
SII/精工
2450+
QFP
6540
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
ST
26+
NA
60000
只有原装 可配单
ST
25+
NA
20000
原装,请咨询
Infineon Technologies
22+
H362482
9000
原厂渠道,现货配单
ST
23+
原厂原封
16900
正规渠道,只有原装!
INFINEON/英飞凌
2019+
SMD
6992
原厂渠道 可含税出货
INFINEON/英飞凌
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势

PTFA041501E数据表相关新闻