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PTB20180	2.5 Watts, 1.8-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor Description The 20180 is a class AB, NPN, common emitter RF power transistor intended for 26 Vdc operation from 1.8 to 2.0 GHz. Rated at 2.5 watts minimum output power, it may be used for both CW and PEP applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold metallization are used t	Ericsson 爱立信	Ericsson
PTB20180	2.5 Watts, 1.8?.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor	Ericsson 爱立信	Ericsson
FST20180	20 AMP SCHOTTKY RECTIFIER 20 Amp Schottky Rectifiers ● Schottky barrier rectifier ● VRRM 180-200 Volts ● 2 X 10 Amperes Avg. ● High surge capacity ● 175 °C Junction temperature	Microsemi 美高森美	Microsemi
FST20180	Dual Schottky Barrier Rectifiers PRV : 180 - 200 Volts Io : 20 Ampere FEATURES : * Guard ring for reverse protection * Low power loss * High efficiency * High surge capacity * Pb / RoHS Free	EIC	EIC
MS20180	Schottky Barrier Rectifiers 文件：95.77 Kbytes Page：2 Pages	EIC	EIC
SCK20180	Power Thermistor for Limiting Inrush Current 文件：692.78 Kbytes Page：22 Pages	THINKING 兴勤电子	THINKING

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更新时间：2025-10-6 16:33:00

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