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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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PTAC210802FC | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 文件：316.06 Kbytes Page：8 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
PTAC210802FC | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 1805 ??2170 MHz 文件：719.51 Kbytes Page：9 Pages | Cree 科锐 | | |
PTAC210802FC | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz 文件：650.25 Kbytes Page：8 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz 文件：650.25 Kbytes Page：8 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz 文件：650.25 Kbytes Page：8 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz 文件：650.25 Kbytes Page：8 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz 文件：650.25 Kbytes Page：8 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
包装：卷带（TR） 描述：IC AMP RF LDMOS 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | WOLFSPEED | | ||
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz 文件：650.25 Kbytes Page：8 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC AMP RF LDMOS 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | Infineon 英飞凌 | | ||
PRECISION N-CHANNEL EPAD짰 MOSFET ARRAY QUAD HIGH DRIVE NANOPOWER??MATCHED PAIR FEATURES & BENEFITS • Precision VGS(th) = +0.20V +0.020V • VOS (VGS(th) match) to 10mV max. • Sub-threshold voltage (nano-power) operation • 100,000,000:1 operating current ranges • High transcon | ALD | | ||
PRECISION N-CHANNEL EPAD짰 MOSFET ARRAY QUAD HIGH DRIVE NANOPOWER??MATCHED PAIR FEATURES & BENEFITS • Precision VGS(th) = +0.20V +0.020V • VOS (VGS(th) match) to 10mV max. • Sub-threshold voltage (nano-power) operation • 100,000,000:1 operating current ranges • High transcon | ALD | | ||
PRECISION N-CHANNEL EPAD MOSFET ARRAY QUAD HIGH DRIVE NANOPOWER MATCHED PAIR 文件：107.53 Kbytes Page：12 Pages | ALD | | ||
PRECISION N-CHANNEL EPAD MOSFET ARRAY QUAD HIGH DRIVE NANOPOWER MATCHED PAIR 文件：107.53 Kbytes Page：12 Pages | ALD | | ||
PRECISION N-CHANNEL EPAD MOSFET ARRAY QUAD HIGH DRIVE NANOPOWER MATCHED PAIR 文件：107.53 Kbytes Page：12 Pages | ALD | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
24+ |
N/A |
48000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
||||
MACOM |
24+ |
5000 |
原装军类可排单 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
H-37248-4 |
22+ |
56000 |
全新原装进口,假一罚十 |
|||
INFINEON |
23+ |
NA |
7000 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
195 |
现货供应 |
||||
Infineon Technologies |
21+ |
- |
20000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
|||
INFINEON |
23+ |
NA |
8000 |
只做原装现货 |
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