| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The 8810 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product 8810 is Pb-free (meets RO | TUOFENG 拓锋半导体 |   | ||
Thermally Conductive Adhesive Transfer Tapes 文件：175.98 Kbytes Page：7 Pages | 3M | | ||
N-channel power MOS field effect tube 文件：270.42 Kbytes Page：1 Pages | FUMAN 富满微 | | ||
Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET 文件：973.56 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：1.37293 Mbytes Page：4 Pages | HOTTECH 合科泰 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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