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PSMN1R9-40YSD

N-channel40V,1.9mΩ,200AstandardlevelMOSFETinLFPAK56usingNextPower-S3Schottky-Plustechnology

1.Generaldescription 200A,standardlevelgatedriveN-channelenhancementmodeMOSFETin175°CLFPAK56 packageusingadvancedTrenchMOSSuperjunctiontechnology.Thisproducthasbeendesigned andqualifiedforhighperformancepowerswitchingapplications. 2.Featuresandbenefits •200

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-channel40V,1.7m廓logiclevelMOSFETinSOT78

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更新时间:2024-6-24 6:39:00
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