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PSMN029-100HL

N-channel 100 V, 29 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology

General description Dual logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56D (Dual Power-SO8) package using TrenchMOS technology. Features and benefits • High peak drain current IDM • Copper clip and flexible Leads • High operating junction temperature Tj = 175 °C • Superior reliability • Low bo

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安世安世半导体(中国)有限公司

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N-channel 100 V, 29 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology

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更新时间:2025-9-26 22:59:00
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