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MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ・HIGH POWER P1dB= 45.0dBm at 6.4GHz to 7.2GHz ・HIGH GAIN G1dB= 9.5dB at 6.4GHz to 7.2GHz ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(MIN)= -44dBc at Pout= 34dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

MICROWAVE POWER GaAs FET

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TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-10-31 18:24:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
23+
N/A
7560
原厂原装
TOSHIBA
NEW
NA
9526
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
TOSHIBA
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SMD
1680
一级代理原装进口现货
TOSHIBA
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SOP
3000
原装正品,支持实单
TOSHIBA/东芝
2450+
TO-59
8850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
MALLORY
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全新原装 货期两周
TOSHIBA/东芝
23+
TO-59
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原装正品代理渠道价格优势
TOSHIBA
18+
SMD
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
TOSHIBA/东芝
24+
256
现货供应
TOSHIBA
2308+
原厂原包
6850
十年专业专注 优势渠道商正品保证

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