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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
PN5179

NPN RF Transistor

This device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers with collector currents in the 100 µA to 30 mA range in common emitter or common base mode of operation, and in low frequency drift, high ouput UHF oscillators. Sourced from Process 40.

FAIRCHILD

仙童半导体

PN5179

NPN RF Transistor

文件:490.36 Kbytes Page:12 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

PN5179

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

ONSEMI

安森美半导体

PN5179

NPN RF Transistor

ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 包装:卷带(TR) 描述:RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

ONSEMI

安森美半导体

NPN SILICON PLANAR HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

FEATURES * High fT=900MHz Min * Max capacitance=1pF * Low noise 4.5dB PARTMARKING DETAIL - 179

ZETEX

NPN SILICON PLANAR HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

FEATURES * HIGH fT=900MHz MIN * MAX CAPACITANCE=1pF * LOW NOISE 5dB APPLICATIONS * CORDLESS TELEPHONES * KEYLESS ENTRY SYSTEMS * WIDEBAND INSTRUMENTATION AMPLIFIERS * TELEMETRY * WIRELESS LANS * REMOTE METERING * TAGGING

ZETEX

High Frequency Transistor(NPN Silicon)

NPN Silicon

ONSEMI

安森美半导体

NPN (HIGH FREQUENCY TRANSISTOR)

HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

SAMSUNG

三星

丝印代码:T6;NPN SILICON PLANAR HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

FEATURES * High fT=900MHz Min * Max capacitance=1pF * Low noise 4.5dB

ZETEX

PN5179产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PN5179

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-5-19 17:04:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
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