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PN2907ARLRAG

GeneralPurposeTransistorPNPSilicon

GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Features •ThesearePb-FreeDevices*

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
PN2907ARLRAG

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线) 包装:卷带(TR)剪切带(CT) 描述:TRANS PNP 60V 0.6A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

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ONSEMI

60VPNPGeneral-PurposeTransistor

Features •HighDCCurrentGain(hFE)Range:100~300 •High-CurrentGainBandwidthProduct(fT): 200MHz(Minimum) •MaximumTurn-OnTime(ton):45ns •MaximumTurn-OffTime(toff):100ns •Ultra-SmallSurface-MountPackage:SOT-223(PZT2907A) Description ThePN2907A,MMBT2907A,and

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ONSEMI

PNPGeneral-PurposeTransistor

Description Thisdeviceisdesignedforusewithgeneral−purposeamplifiersand switchesrequiringcollectorcurrentsto500mA. ThesedevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFree,BerylliumFree andareRoHScompliant.

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60VPNPGeneral-PurposeTransistor

Features •HighDCCurrentGain(hFE)Range:100~300 •High-CurrentGainBandwidthProduct(fT): 200MHz(Minimum) •MaximumTurn-OnTime(ton):45ns •MaximumTurn-OffTime(toff):100ns •Ultra-SmallSurface-MountPackage:SOT-223(PZT2907A) Description ThePN2907A,MMBT2907A,and

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500mALOWDROPOUTVOLTAGEREGULATOR

GENERALDESCRIPTION TheAMS2907seriesofadjustableandfixedvoltageregulatorsaredesignedtoprovide500mAoutputcurrentandtooperatedownto1Vinput-to-outputdifferential.Thedropoutvoltageofthedeviceisguaranteedmaximum1.3Vatmaximumoutputcurrent,decreasingatlowerloadc

ADMOS

Advanced Monolithic Systems

ADMOS

808MHzCenterFrequency

文件:44.39 Kbytes Page:2 Pages

KR

KR Electronics, Inc.

KR

PN2907ARLRAG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PN2907ARLRAG

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 600mA 60V PNP

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-7-31 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
1983
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ON/安森美
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