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PMXB75UPE价格

参考价格：￥0.5603

型号：PMXB75UPEZ 品牌：NXP Semiconductors 备注：这里有PMXB75UPE多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，PMXB75UPE批发/采购报价，PMXB75UPE行情走势销售排行榜，PMXB75UPE报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
PMXB75UPE

20 V, P-channel Trench MOSFET

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Trench MOSFET technology\n• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm\n• Exposed drain pad for excellent thermal conduction\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection 1.5 kV HBM\n• Drain-source on-state resistance RDSon = 69 mΩ\n• Very low gate-source threshold ;

NEXPERIA

安世

PMXB75UPE

丝印代码：000100；20 V, P-channel Trench MOSFET

文件：740.73 Kbytes Page：15 Pages

NEXPERIA

安世

PMXB75UPE_15

20 V, P-channel Trench MOSFET

文件：259.62 Kbytes Page：15 Pages

PHILIPS

飞利浦

PMXB75UPE产品属性

  • 类型

    描述

  • Package name：

    DFN1010D-3

  • Product status：

    Production

  • Channel type：

    P

  • Nr of transistors：

    1

  • VDS [max] (V)：

    -20

  • VGS [max] (V)：

    8

  • RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：

    85

  • RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：

    110

  • integrated gate-source ESD protection diodes：

    Y

  • VESD HBM (V)：

    1500

  • Tj [max] (°C)：

    150

  • ID [max] (A)：

    -2.9

  • QGD [typ] (nC)：

    2.1

  • QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：

    6.8

  • Ptot [max] (W)：

    0.317

  • VGSth [typ] (V)：

    -0.68

  • Automotive qualified：

    N

  • Ciss [typ] (pF)：

    608

  • Coss [typ] (pF)：

    75

  • Release date：

    2014-02-04

PMXB75UPE供应商更多...

更新时间：2026-8-3 23:00:00
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