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PMXB65UPE

12 V, P-channel Trench MOSFET

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Trench MOSFET technology\n• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm\n• Exposed drain pad for excellent thermal conduction\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection 1.5 kV HBM\n• Drain-source on-state resistance RDSon = 59 mΩ\n• Very low gate-source threshold ;

NEXPERIA

安世

PMXB65UPE

丝印代码:011000;12 V, P-channel Trench MOSFET

文件:739.34 Kbytes Page:15 Pages

NEXPERIA

安世

12 V, P-channel Trench MOSFET

文件:257.86 Kbytes Page:15 Pages

PHILIPS

飞利浦

PMXB65UPE产品属性

  • 类型

    描述

  • Package name:

    DFN1010D-3

  • Product status:

    Production

  • Channel type:

    P

  • Nr of transistors:

    1

  • VDS [max] (V):

    -12

  • VGS [max] (V):

    8

  • RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ):

    72

  • RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ):

    98

  • integrated gate-source ESD protection diodes:

    Y

  • VESD HBM (V):

    1500

  • Tj [max] (°C):

    150

  • ID [max] (A):

    -3.2

  • QGD [typ] (nC):

    1.9

  • QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC):

    6.7000003

  • Ptot [max] (W):

    0.317

  • VGSth [typ] (V):

    -0.68

  • Automotive qualified:

    N

  • Ciss [typ] (pF):

    634

  • Coss [typ] (pF):

    167

  • Release date:

    2014-02-04

更新时间:2026-5-24 13:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Nexperia
ROHS+Original
原封阻容元件
1000000
NEXPERIA/安世
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3XDFN
9000
原厂渠道,现货配单
Nexperia(安世)
25+
DFN1010-3
21000
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
Nexperia
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应

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