| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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PMV37ENEA | 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Theusesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This deviceissuitableforuseasaBatteryprotection orinotherSwitchingapplication. PMV37ENEA GeneralFeatures VDS=60VID=3A RDS(ON) | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司 |  |   |
PMV37ENEA | 60 V, N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •ExtendedtemperaturerangeTj=175°C •TrenchMOSFE | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-12-15PMV33UPE
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2019-12-6PMT1017进口原装正品
PMT1017韩国POCONS30L*1.5W*1.5H0.6mm50-80%(0.30-0.48mm)1.2-1.02mm 与移动设备部件的连接，如天线、接地、铰链等。
2019-10-29
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