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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
PMN28UNE

丝印代码：3G；20 V, N-channel Trench MOSFET

1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Trench MOSFET technology • Low threshold voltage • Very fast switching • Electro

NEXPERIA

安世

PMN28UNE

20 V, N-channel Trench MOSFET

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Trench MOSFET technology\n• Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM;

NEXPERIA

安世

PMN28UNEX

20 V, N-channel Trench MOSFET

1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Trench MOSFET technology • Low threshold voltage • Very fast switching • Electro

NEXPERIA

安世

PMN28UNE产品属性

  • 类型

    描述

  • Package name：

    TSOP6

  • Product status：

    Production

  • Channel type：

    N

  • Nr of transistors：

    1

  • VDS [max] (V)：

    20

  • VGS [max] (V)：

    8

  • RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：

    32

  • RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：

    45

  • integrated gate-source ESD protection diodes：

    Y

  • VESD HBM (V)：

    2000

  • Tj [max] (°C)：

    150

  • ID [max] (A)：

    7.1

  • QGD [typ] (nC)：

    1.4

  • QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：

    6.2000003

  • Ptot [max] (W)：

    0.57

  • VGSth [typ] (V)：

    0.7

  • Automotive qualified：

    N

  • Ciss [typ] (pF)：

    489.99997

  • Coss [typ] (pF)：

    86

  • Release date：

    2018-04-16

PMN28UNE供应商更多...

更新时间：2026-8-3 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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