| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
PMD12K60 | Power Transistors Power Transistors TO-3 Case (Continued) | CENTRAL |   | |
PMD12K60 | Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 60V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):2.0V(Max) @IC= 4A APPLICATIONS · Designed for use in audio frequency power amplifier applications | ISC 无锡固电 | | |
PMD12K60 | Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington | CENTRAL | |
PMD12K60产品属性
- 类型
描述
- Case：
TO-3
- Configuration/ Description：
NPN Darlington
- Polarity：
NPN
- IC MAX：
8A
- PD MAX：
100W
- VCEO MAX：
60V
- hFE MIN：
1000
- hFE MAX：
20000
- @VCE：
3V
- VCE(SAT) MAX：
2V
- @IC：
4A
- @IB：
16mA
- Cob MAX：
200pF
- fT MIN：
4MHz
更新时间：2026-7-31 17:43:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PMD |
DIP |
8650 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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HDCD |
25+ |
DIP28 |
35 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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24+ |
TO-3 |
10000 |
真实现货库存 |
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HDCD |
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DIP28 |
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POTENS/博盛 |
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360000 |
专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低 |
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