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PJD60P04E-AU

40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features  RDS(ON), VGS@-10V, ID@-20A

PANJIT

強茂

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Isolated Package • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm • P-Channel • 175 °C Operating Temperature • Dynamic dV/dt Rating • Low Thermal Resistance • Lead (Pb)-free Available

VBSEMI

微碧半导体

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE60P04R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications. General Features ● VDS =-60V,ID =-4.3A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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LEIDITECH

雷卯电子

LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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LEIDITECH

雷卯电子

LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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LEIDITECH

雷卯电子

更新时间:2025-8-14 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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24+
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60000
PANJIT/强茂
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电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价

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