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PIE2016-2R2M

POWERINDUCTOR

●FEATURE 1.MultilayerChipPowerInductor 2.Monolithicstructureforhighreliability 3.Excellentsolderabilityandhighheatresistance 4.Nocrosscouplingduetomagneticshield 5.HighDCbiascurrentduetodevelopedmaterial 6.LowDCresistance 7.OperatingTemp.:-40°C~+125°C

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

AiT創瑞科技

AITSEMI

POWERCUBE

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PREMOPREMO CORPORATION S.L

普莱默普莱默电子(芜湖)有限公司

PREMO

ShieldedSMDPowerInductors

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BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns

ShieldedSMDPowerInductors

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BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns
更新时间:2024-4-28 17:15:00
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