位置：首页 > IC中文资料第5661页 > PHT8N06LTT/R
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
TrenchMOS transistor Standard level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting. Using ’trench’ technolgy the device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection. It is intended for use in DC | Philips 飞利浦 |   | ||
TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.12 OHM TMOS E-FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery t | Motorola 摩托罗拉 | | ||
N-Channel 60 V(D-S) MOSFET 文件：1.08726 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.12 OHM 文件：212.82 Kbytes Page：8 Pages | Motorola 摩托罗拉 | | ||
TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.12 OHM 文件：212.82 Kbytes Page：8 Pages | Motorola 摩托罗拉 | |
PHT8N06LTT/R产品属性
- 类型
描述
- 型号
PHT8N06LTT/R
- 功能描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SOT-223
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
2019+ |
SOT-223 |
78550 |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT-223 |
100586 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT143B |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
PHI |
2022+ |
TO-223 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
|||
恩XP |
23+ |
08 |
131550 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
恩XP |
PBFREE |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
恩XP |
2023+ |
SOT-223 |
50000 |
原装现货 |
|||
PHI |
24+ |
SOT-223 |
3000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
恩XP |
24+ |
SOT-223 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
恩XP |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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