型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
PHD6N10E

PowerMOS transistor

GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting featuring high avalanche energy capability, stable blocking voltage, fast switching and high thermal cycling performance with low thermal resistance. Intended for use i

Philips

飞利浦

PHD6N10E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.54Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

PHD6N10E

PowerMOS transistor

ETC

知名厂家

6 Amps, 100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

6.5 Amps, 100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:197.84 Kbytes Page:4 Pages

UTC

友顺

GenerAL Description

文件:8.05172 Mbytes Page:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

PHD6N10E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHD6N10E

  • 制造商

    PHILIPS

  • 制造商全称

    NXP Semiconductors

  • 功能描述

    PowerMOS transistor

更新时间:2025-10-15 14:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
20+
TO-252
63258
原装优势主营型号-可开原型号增税票
恩XP
23+
TO-252
2530
原厂原装正品
恩XP
23+
TO-252
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
N
25+
TO-252
35400
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
VBsemi
21+
TO252
10026
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
24+
3000
公司存货
PHI
1709+
TO-252/D-
32500
普通
PHI
2022+
20000
原厂代理 终端免费提供样品
PHI
24+
20000
只做原厂渠道 可追溯货源
恩XP
24+
TO-252
5070
全新原装,价格优势,原厂原包

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