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PHB119NQ06T,118产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHB119NQ06T,118

  • 功能描述

    MOSFET TRENCHMOS(TM)FET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-24 20:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
PHI
24+
NA/
50
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
PHI
25+
TO263
9800
全新原装现货,假一赔十
PHI
25+
TO-263
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
PHI
20+
TO-263
32500
现货很近!原厂很远!只做原装
恩XP
23+
TO-263
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
恩XP
23+
SOT-404
5000
原装正品,假一罚十
PH
24+
TO-263
90014
恩XP
23+
TO-263
125600
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
PHI
24+
SOT-404
9600
原装现货,优势供应,支持实单!

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