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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
PHB101NQ04T

N-channel TrenchMOS standard level FET

Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Features ■ Standard level threshold ■ Very low on-state resistance. Applications ■ Motors, lamps, solenoids ■ Uninterruptible power supplies ■ DC-to-DC converters ■ Ge

PHILIPS

飞利浦

PHB101NQ04T

N-channel TrenchMOS standard level FET

ETC

知名厂家

PHB101NQ04T

N-channel TrenchMOS standard level FET

ETC

知名厂家

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel TrenchMOS standard level FET

Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Features ■ Standard level threshold ■ Very low on-state resistance. Applications ■ Motors, lamps, solenoids ■ Uninterruptible power supplies ■ DC-to-DC converters ■ Ge

PHILIPS

飞利浦

N-channel TrenchMOS standard level FET

ETC

知名厂家

PHB101NQ04T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHB101NQ04T

  • 功能描述

    MOSFET N-CH TRENCH 40V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-5-19 21:15:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
20+
SOT404TO-263D2PAK
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
VISHAY/威世
17+
DO-214A
180
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
VISHAY
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
VBsemi/台湾微碧
22+
TO-263
20000
公司只做原装 品质保障
VBsemi
25+
TO263
11000
原装正品 有挂有货 假一赔十
恩XP
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单
恩XP
24+
TO-263
118
N
24+
TO-263
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
ADI
23+
TO-263
7000
恩XP
2023+
TO263
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。

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