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MICROWAVE POWER GAAS FET

FEATURES : ■ HIGH POWER P1dB = 48.0 dBm at 1.9 GHz ■ HIGH GAIN G1dB = 13 dB at 1.9 GHz ■ PARTIALLY MATCHED TYPE ■ HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-28 21:45:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
2023+
SMD
8635
一级代理优势现货,全新正品直营店
TOSHIBA
24+
MODULE
1020
公司大量全新现货 随时可以发货
TOSHIBA/东芝
1607+
SMD
880000
明嘉莱只做原装正品现货
TOSHIBA/东芝
2019+
SMD
6992
原厂渠道 可含税出货
TOSHIBA/东芝
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
TOSHIBA
23+
高频管
1000
原装正品,假一罚十
TOSHIBA
24+
SMD
5500
长期供应原装现货实单可谈
TOSHIBA
20+
高频管
29516
高频管全新原装主营-可开原型号增税票
TOBSHIBA
23+
SMD
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
TOSHIBA
11+
SMD
8000
全新原装,绝对正品现货供应

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