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MICROWAVEPOWERGAASFET

FEATURES: ■HIGHPOWER P1dB=48.0dBmat1.9GHz ■HIGHGAIN G1dB=13dBat1.9GHz ■PARTIALLYMATCHEDTYPE ■HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-6-12 22:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PARTSNI
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