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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO	操作
TPM1919-60	MICROWAVE POWER GAAS FET FEATURES : ■ HIGH POWER P1dB = 48.0 dBm at 1.9 GHz ■ HIGH GAIN G1dB = 13 dB at 1.9 GHz ■ PARTIALLY MATCHED TYPE ■ HERMETICALLY SEALED PACKAGE	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

PH1919-60供应商更多...

更新时间：2025-10-14 19:26:01

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2023-4-25
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PGH20016AM DFA200AA160 DFA150AA160 模块现货元器件配单
2021-12-28
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2021-12-1
PGB1010603NR
类型：齐纳双向通道：1 电压 - 反向关态（典型值）：24V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp：150V（标准）电源线路保护：无应用：通用工作温度：-65°C ~ 125°C（TJ）安装类型：表面贴装封装/外壳：0603（1608 公制）供应商器件封装：0603（1608 Metric）
2020-10-30
PHB101NQ03LT，一站式配齐，兴中扬电子科技只售原装货，买IC找兴中扬
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2019-11-30
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瀚佳科技（深圳）有限公司专业进口电子元器件代理商
2019-8-23