| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
PGH150N8 | THYRISTOR 文件：955.35 Kbytes Page：4 Pages | NIEC Nihon Inter Electronics Corporation |   | |
PGH150N8 | Thyristor 文件：1.28498 Mbytes Page：9 Pages | KSS 京瓷 | | |
THYRISTOR 文件：955.35 Kbytes Page：4 Pages | NI National Instruments Inc. | | ||
N-Channel Depletion-Mode MOSFET General Description The LND150 is a high voltage N-channel depletion mode (normally-on) transistor utilizing Supertex’s lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. The LND150 is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, | SUTEX | | ||
N-Channel Depletion-Mode DMOS FET General Description The LND150 is a high voltage N-channel depletion mode (normally-on) transistor utilizing Supertex’s lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. The LND150 is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, | SUTEX | | ||
N- Channel Depletion Mode MOSFETS Features ⚫ Halogen and Antimony Free ⚫ Depletion Mode ⚫ ESD improved Capability ⚫ VDS= 500V,ID= 0.03A RDS(on) | ZHAOXINGWEI | | ||
N-Channel Depletion-Mode DMOS FET 文件：651.64 Kbytes Page：7 Pages | SUTEX | | ||
N-Channel Depletion-Mode DMOS FET 文件：602.63 Kbytes Page：7 Pages | SUTEX | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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类型：齐纳 双向通道：1 电压 - 反向关态（典型值）：24V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp：150V（标准） 电源线路保护：无 应用：通用 工作温度：-65°C ~ 125°C（TJ） 安装类型：表面贴装 封装/外壳：0603（1608 公制） 供应商器件封装：0603（1608 Metric）
2020-10-30PH6325L公司原装现货
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2019-8-23
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