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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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PEB3456E | Channelized T3 Termination with DS3 Framer, M13 Multiplexer, T1/ E1 Framers and 256 Channel HDLC/PPP controller 文件：5.2862 Mbytes Page：424 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 30V, 5.5A, RDS(ON) = 42mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 59mΩ @VGS = 4.5V. ■ High dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ Rugged and reliable. ■ Lead free product is acquired. ■ TSOP-6 package. | CET 华瑞 | | ||
General-Purpose Switching Device Features • ON-resistance RDS(on)1=54mΩ(typ.) • 1.8V drive • Halogen free compliance | SANYO 三洋 | | ||
N-Channel 30V (D-S) MOSFET 文件：135.53 Kbytes Page：2 Pages | AnalogPower | | ||
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PEB3456E产品属性
- 类型
描述
- 型号
PEB3456E
- 制造商
INFINEON
- 制造商全称
Infineon Technologies AG
- 功能描述
Channelized T3 Termination with DS3 Framer, M13 Multiplexer, T1/ E1 Framers and 256 Channel HDLC/PPP controller
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IN |
24+ |
QFP |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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INFINEON |
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24+ |
3000 |
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SIEMENS |
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MQFP-80 |
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INFINEON |
22+ |
BGA35 |
8000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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Infineon |
24+ |
BGA35 |
3000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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INFINEON |
03/04+ |
BGA35 |
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全新原装100真实现货供应 |
|||
SIEMENS |
25+ |
QFP |
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PEB3456E规格书下载地址
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