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PDTA143EMB	PNPresistor-equippedtransistor;R1=4.7k廓,R2=4.7k廓 Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC143EMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
PDTA143EMB,315	封装/外壳：3-XFDFN 包装：卷带（TR）描述：TRANS PNP 50V 0.1A DFN1006B-3 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
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更新时间：2024-5-22 10:18:00

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PDS760-13
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2024-2-29
PDRB-30-24电源
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2023-8-1
PDSE1-S24-S12-M-TR
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2023-7-12
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2020-6-18
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2020-1-2
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2019-10-12