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P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-20V,-5.2A,RDS(ON)=55mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=95mΩ@VGS=-2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfaceMountPackage.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

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P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

VOLTAGE20VoltsCURRENT5Ampere FEATURE *Smallflatpackage.(SO-8) *SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). *Highpowerandcurrenthandingcapability. *Leadfreeproductisacquired. APPLICATION *Servomotorcontrol. *PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitching

CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD.

力勤力勤股份有限公司

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菲尼克斯电气德国菲尼克斯电气集团

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Heyco-Flex™ILiquidTightConduit

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海科

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更新时间:2025-6-9 8:25:01
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