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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Features •VDSS=30V(TA=25°C) •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=4.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) •4.5VGate-driveavailable •Small&thintypesurfacemountpackagewithheatspreader(HWSON-8) •Pb-free,HalogenFree

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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更新时间:2025-7-30 19:06:01
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