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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 25 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 20 A) (NP40N10YDF) ⎯ RDS(on) = 26 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 20 A) (NP40N10VDF) ⎯ RDS(on

RENESAS

瑞萨

100 V ??40 A ??N-channel Power MOS FET Application: Automotive

文件:162.8 Kbytes Page:11 Pages

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-10-17 7:27:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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25+
BGA
996880
只做原装,欢迎来电资询
Renesas(瑞萨)
24+
标准封装
12048
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
MICREL/麦瑞
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QFN
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RENESAS/瑞萨原装特价NP40N10YDF-E1-AY即刻询购立享优惠#长期有货
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