型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
P40B6SL

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.012Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
P40B6SL

PowerMOSFETs60V,40A,N-channel

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SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新电元工业株式会社

SHINDENGEN

SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES

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SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

PDF上传者:深圳市福田区吉富昌电子商行

SUNMATE

SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES

文件:43.5 Kbytes Page:2 Pages

EIC

EIC discrete Semiconductors

EIC
更新时间:2025-5-13 9:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    P4010S,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    特点·宽带0.5-16GHz的·低插入损耗;4分贝的典型值在8GHz的·衰减0.5dB步进到31.5分贝·开关速度快·通过提高性能的砷化镓过孔P35-4304-000-200是一种高性能砷化镓单片提供6位数字衰减器的衰减步长为0.5dB31.5分贝范围。它是适用于宽带通信,仪器仪表和电子战的使用应用。衰减器是免费0V/-5V或0/-8V信号控制线的应用程序来控制按照下面的真值表。通过修改控制线,实现全衰减范围组合。模具制造,使用建设部0.5mm栅极长度的MESFET制程(S20)。它是完全

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