| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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P3NA50 | N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS( | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  |   |
N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=2.4Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION ■THROUGH-HOLEIPAK(TO-251)POWERPACKAGEINTUBE(SUFFIX”-1”) ■SURFACE-MOUNTINGD | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS( | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
500VN-ChannelMOSFET 文件：274.6 Kbytes Page：7 Pages | PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司 |  | | |
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBSEMI |
19+ |
TO-220 |
29600 |
绝对原装现货,价格优势! |
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ST/意法 |
23+ |
NA/ |
3270 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
ST |
23+ |
TO-220 |
16900 |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
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ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
23+ |
N/A |
90150 |
正品授权货源可靠 |
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门市 |
2018 |
1 |
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ST/意法 |
61350 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||||
ST |
03+ |
TO-220 |
20 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ST |
23+ |
TO220 |
1367 |
专业优势供应 |
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ST/意法 |
2022 |
TO-220 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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2020-3-3P3403ACL全新原装现货
随时可发货
2019-9-17P4010S
P4010S，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-15P35-4304-000-200-模拟杂项
特点·宽带0.5-16GHz的·低插入损耗;4分贝的典型值在8GHz的·衰减0.5dB步进到31.5分贝·开关速度快·通过提高性能的砷化镓过孔P35-4304-000-200是一种高性能砷化镓单片提供6位数字衰减器的衰减步长为0.5dB31.5分贝范围。它是适用于宽带通信，仪器仪表和电子战的使用应用。衰减器是免费0V/-5V或0/-8V信号控制线的应用程序来控制按照下面的真值表。通过修改控制线，实现全衰减范围组合。模具制造，使用建设部0.5mm栅极长度的MESFET制程（S20）。它是完全
2012-12-20
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