P36102价格

参考价格:¥17.5033

型号:P36102 品牌:Apem 备注:这里有P36102多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,P36102批发/采购报价,P36102行情走势销售排行榜,P36102报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
P36102

P36 P36S SERIES ROTARY DIP SWITCHES

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etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

etc2
P36102

包装:管件 描述:SW ROTARY DIP BCD COMP 100MA 24V 开关 DIP 开关

ETC

知名厂家

Lead Wire, #2 Str TC, CSPE Ins, 5000V

Product Description Low Temp Rubber Lead Wire, 2AWG (163x24) Tinned Copper, CSPE Insulation, 5000V

BELDENBelden Inc.

百通电缆设计科技有限公司

BELDEN

22V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET

General Description • Trench Power MOSFET Technology • Low RSS(ON) • With ESD protection to improve battery performance and safety • Common drain configuration for design simplicity • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • Battery protection switch • Mobile device battery chargi

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

Flat Coil SM Power Inductors

文件:123.35 Kbytes Page:3 Pages

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

MuRata

Programmable DC Power Supplies

文件:2.24714 Mbytes Page:8 Pages

KEYSIGHTKeysight Technologies

是德科技是德科技(中国)有限公司

KEYSIGHT

P36102产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    P36102

  • 功能描述

    DIP 开关/ SIP 开关 10pos 0.1A 24V BCD Complement

  • RoHS

  • 制造商

    Omron Electronics

  • 位置数量

    10

  • 开关类型

    DIP

  • 执行器

    Rotary

  • 端子节距

    2.54 mm

  • 端接类型

    Solder Pin

  • 电流额定值

    100 mA 电压额定值

  • 安装

    Through Hole

更新时间:2025-8-5 16:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
23+
TO-220
16900
正规渠道,只有原装!
HARTMANN
410
全新原装 货期两周
TOSHIBA/东芝
23+
DIP4
60000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
A
24+
b
20
TI
三年内
1983
只做原装正品
APEM
10
APEM
24+
con
10
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格
ST
2511
TO-220
16900
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
SPEEDTECH
1923+
原厂封装
12008
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货
TYCO
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票

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    随时可发货

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    特点 ·宽带0.5 - 16GHz的 ·低插入损耗;4分贝的典型值在8GHz的 ·衰减0.5dB步进到31.5分贝 ·开关速度快 ·通过提高性能的砷化镓过孔 P35 -4304-000 -200是一种高性能砷化镓单片提供6位数字衰减器的衰减步长为0.5dB31.5分贝范围。它是适用于宽带通信,仪器仪表和电子战的使用应用。衰减器是免费0V/-5V或0/-8V信号控制线的应用程序来控制按照下面的真值表。通过修改控制线,实现全衰减范围组合。模具制造,使用建设部0.5mm栅极长度的MESFET制程(S20)。它是完全

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