型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
P3355

LOW DISTORTION LINE MATCHING TRANSFORMER

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ETAL

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR CHIP

Description ▪ NPN epitaxial silicon RF transistor for microwave low-noise amplification Features ▪ Low noise and high gain bandwidth product ▪ High power gain Applications ▪ UHF / VHF wide band amplifier

Belling

上海贝岭

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DESCRIPTION The 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has lange dynamic range and good current characteristic. FEATURES • Low Noise and High Gain NF = 1.1 dB TYP., Ga = 8.0 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz

NEC

瑞萨

Heyco짰 Nylon Cable Clamps

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Nylon Cable Clamps

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Heyco

Designing an application board compatible with either

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

P3355产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    P3355

  • 制造商

    ETAL

  • 制造商全称

    ETAL

  • 功能描述

    LOW DISTORTION LINE MATCHING TRANSFORMER

更新时间:2025-10-17 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
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DO-41
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    随时可发货

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  • P35-4304-000-200-模拟杂项

    特点 ·宽带0.5 - 16GHz的 ·低插入损耗;4分贝的典型值在8GHz的 ·衰减0.5dB步进到31.5分贝 ·开关速度快 ·通过提高性能的砷化镓过孔 P35 -4304-000 -200是一种高性能砷化镓单片提供6位数字衰减器的衰减步长为0.5dB31.5分贝范围。它是适用于宽带通信,仪器仪表和电子战的使用应用。衰减器是免费0V/-5V或0/-8V信号控制线的应用程序来控制按照下面的真值表。通过修改控制线,实现全衰减范围组合。模具制造,使用建设部0.5mm栅极长度的MESFET制程(S20)。它是完全

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