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型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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P3355 | LOW DISTORTION LINE MATCHING TRANSFORMER 文件:167.61 Kbytes Page:5 Pages | ETAL | ||
NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR CHIP Description ▪ NPN epitaxial silicon RF transistor for microwave low-noise amplification Features ▪ Low noise and high gain bandwidth product ▪ High power gain Applications ▪ UHF / VHF wide band amplifier | Belling 上海贝岭 | |||
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has lange dynamic range and good current characteristic. FEATURES • Low Noise and High Gain NF = 1.1 dB TYP., Ga = 8.0 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz | NEC 瑞萨 | |||
Heyco짰 Nylon Cable Clamps 文件:100.33 Kbytes Page:1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | |||
Nylon Cable Clamps 文件:84.39 Kbytes Page:1 Pages | Heyco | |||
Designing an application board compatible with either 文件:103.24 Kbytes Page:11 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |
P3355产品属性
- 类型
描述
- 型号
P3355
- 制造商
ETAL
- 制造商全称
ETAL
- 功能描述
LOW DISTORTION LINE MATCHING TRANSFORMER
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
2511 |
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TI |
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原装现货 |
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TI |
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SMD |
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2019-11-26P3403ACL全新原装现货
随时可发货
2019-9-17P35-4304-000-200-模拟杂项
特点 ·宽带0.5 - 16GHz的 ·低插入损耗;4分贝的典型值在8GHz的 ·衰减0.5dB步进到31.5分贝 ·开关速度快 ·通过提高性能的砷化镓过孔 P35 -4304-000 -200是一种高性能砷化镓单片提供6位数字衰减器的衰减步长为0.5dB31.5分贝范围。它是适用于宽带通信,仪器仪表和电子战的使用应用。衰减器是免费0V/-5V或0/-8V信号控制线的应用程序来控制按照下面的真值表。通过修改控制线,实现全衰减范围组合。模具制造,使用建设部0.5mm栅极长度的MESFET制程(S20)。它是完全
2012-12-20
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