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P26B10SN

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=28mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
P26B10SN

PowerMOSFET

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SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD

新电元(上海)电器有限公司

SHINDENGEN

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=30mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

PowerMOSFET

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SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD

新电元(上海)电器有限公司

SHINDENGEN

PulsetransformersdesignedforSemikron

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PREMOPREMO CORPORATION S.L

普莱默普莱默电子(芜湖)有限公司

PREMO
更新时间:2024-6-21 18:21:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
JXND
2022
SMB
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
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6000
原装正品,支持实单
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