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P2000DL45X168HPSA1

Druckkontaktierter IGBT Press Pack IGBT

Features  Press Pack IGBT with integrated Freewheeling Diode  Long term Short on Fail behavior  High dynamic robustness  High short-circuit capability  Low VCEsat  Trench IGBT 3

Infineon

英飞凌

P2000DL45X168HPSA1

封装/外壳:TO-200AF 包装:托盘 描述:PRESS PACK IGBT 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-12-20 20:00:00
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