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P10B28HP2

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=280V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
P10B28HP2

PowerMOSFET

文件:932.39 Kbytes Page:4 Pages

SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD

新电元(上海)电器有限公司

SHINDENGEN
更新时间:2024-6-17 16:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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