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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP100P06PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −50 A) RDS(on)2 = 7.8 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −50 A) • High current rating: ID(

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-60V – -100A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive

Description This product is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features  Super low on-state resistance : RDS(on) = 6.0 m Max. ( VGS = -10 V, ID = -50 A ) RDS(on) = 7.8 m Max. ( VGS = -4.5 V, ID = -50 A )  Low input capacitance : Ciss =

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SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

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更新时间:2025-10-15 12:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
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  • P1004HV

    P1004HV

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  • P1014NSE5HFA

    ARM Cortex A72 2 GHz 8 Core 微处理器 - MPU , ARM Cortex A53 64 bit 微处理器 - MPU , 1.8 GHz 微处理器 - MPU , SMD/SMT - 40 C 微处理器 - MPU , AEC-Q100 微处理器 - MPU , i.MX 6Solo/6DualLite 800 MHz 微处理器 - MPU

    2020-11-12
  • P1014NSE5HFA

    ARM926EJ-S 微处理器 - MPU , ARM Cortex A8 32 bit 1 GHz 1 Core 微处理器 - MPU , i.MX 6SoloLite - 40 C 微处理器 - MPU , Z80 微处理器 - MPU , 1.2 GHz 微处理器 - MPU , Z80 微处理器 - MPU

    2020-7-8